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格子系における非調和フォノンが電子系と相互作用をする系の代表的な場合として、一次元非調和ホルシュタイン・ハバード模型の量子モンテカルロシミュレーションによる研究を進めていたが、その成果を論文としてまとめて出版した。
籠状構造の中に入った磁性イオンに対する一般化したアンダーソン模型を構築した。磁性イオンの局在軌道を、簡単のため軌道縮退のないs軌道ととると、同じ対称性を持つs部分波との混成に加えて、フォノンを媒介とするp部分波との混成のチャンネルが開くことになる。このモデルに対して、ウィルソンの数値繰り込み群の計算を実行し、電子格子相互作用定数(V1)とクーロン相互作用の強さ(U)の空間における基底状態相図を明らかにした。高温においては、Uの大きなところでは局在軌道のスピン(磁気双極子)が活性であり、Uが小さくV1の大きなところではイオンの分極(電気双極子)が活性である、温度を下げていくと全パラメーター空間において近藤効果が起こる。低温になるに従い、磁気ないし電気双極子が遮蔽され、基底状態では磁気シングレットでパリティシングレットの状態が実現する、しかしフォノンのパリティと電子のパリティの和である全パリティは保存量である。基底状態相図には全パリティの異なる二つの相があり、その境界では一般的に2チャンネル近藤効果が起きることを明らかにした、格子振動の非調和性をとりいれた場合についても研究を進め、より小さな結合定数でイオンの分極による近藤効果が生じることが分かった。
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