研究課題
基盤研究(C)
本研究では充填スクッテルダイト化合物RT_4X_<12>(R=希土類,T=Fe,Ru,Os,X=P,As,Sb)やカゴ状化合物RT_2Al_<10>の純良単結晶を,フラックス法や高圧合成法を用いて育成し,電気抵抗,磁化,比熱,ドハース・ファンアルフェン効果等の種々の実験的手法を用いて研究を行った。結果として,これらの物質が示す異常な磁性や超伝導特性についての新しい知見を得ることができた。
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http://www.phys.sci.kobe-u.ac.jp/faculty/sugawara.html