| 研究課題/領域番号 |
20540384
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
数理物理・物性基礎
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
館山 佳尚 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA独立研究者 (70354149)
|
|---|
| 研究分担者 |
胡 春平 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, NIMSポスドク研究員 (00512758)
袖山 慶太郎 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, NIMSポスドク研究員 (40386610)
|
|---|
| 研究協力者 |
宮本 良之 NECナノエレクトロニクス研究所, 主任研究員
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| キーワード | 時間依存密度汎関数理論 / 時間発展 / 線形応答 / 光吸収 / 光励起ダイナミクス / 非断熱遷移 |
|---|
| 研究概要 |
光励起を利用するナノ及びエネルギー・環境技術(光スイッチ、太陽電池等)における電子・原子核の微視的ダイナミクスの理論的解析を行うために、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)をベースにした以下のような計算技術の開発 ・実証に取り組んだ。(1)実時間発展形式へのスピン分極の導入。(2)線形応答形式による非断熱結合定数の計算手法開発。(3)電荷移動型励起に対する修正型線形応答形式の精度検証。(4)実時間発展形式への外場の導入。
|
