研究課題
基盤研究(C)
高選択的かつ高効率な不斉合成反応および結合活性化反応を融合した反応系に有効な遷移金属錯体触媒開発のため,インデニル基とホスフィンオキシド基がアルキレン鎖で架橋された二座配位子であるInd-PO配位子とインデニル基とN-ヘテロサイクリックカルベンがアルキレン鎖で架橋された二座配位子であるInd-NHC配位子を設計し,そのイリジウム錯体を合成した。また,その触媒能を評価した。
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