| 研究概要 |
1. 新規超伝導体CaGe_3の高圧合成(Ca-Ge系初の超伝導)。
高温高圧合成により新構造を持ったCaGe_3の合成に成功した。本化合物はCa-Ge系化合物で初の超伝導体(Tc=7K)である。単結晶合成にも成功し、単結晶構造解析により本化合物が新しいゲルマニウムネットワークを持つことを明らかにした。構造中には二個のゲルマニウムからなるダンベル形ユニット同士が緩やかに結合した層状構造があり、Caはその層間に位置している。
2. ヨウ素含有スクッテルダイトの結晶構造、電子構造の解明
以前の研究で当研究者が合成したヨウ素含有スクッテルダイトは、アニオンをゲストに含む初めてのスクッテルダイト化合物として注目されている。今年度は合成条件を様々に変えて試料を作成し、結晶構造変化の詳細な検討を行った。また得られた構造にもとづいて電子軌道計算による電子構造の解明を行った。その結果、本化合物はヨウ素のサイトに不定比性があり、合成圧力を高めるとその充填率が上昇することがわかった。またEPMAやXPS、軌道計算などによりヨウ素が-1価に近い価数をもつことを見出した。
3. Yb-Ge系新化合物の合成
YbGe_3, Yb_3Ge_5という新しい金属化合物の合成に成功した。構造解析の結果、YbGe_3は合金的な構造をもち、一方Yb_3Ge_5は構造中に四角錘型をしたGe5ユニットが存在し、共有結合ネットワークを持った金属化合物であることがわかった。
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