研究課題
基盤研究(C)
超伝導バルク体にパルス磁場を印加したときの量子化磁束の振る舞いに対する知見を得るために局所磁束密度および局所温度を複数箇所で測定した。その結果、量子化磁束はバルク端部のみならず表面からも侵入することが明らかとなった。また、バルク体を小片試料に切り分けて測定した局所的な臨界電流密度分布は、パルス着磁で実現される不均一な捕捉磁場分布と矛盾せず、量子化磁束は低磁場ではピン止めが弱い領域に高磁場では強い領域に捕捉されるということが明らかとなった。
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