| 研究概要 |
研究では、ガラスなどの非単結晶基板上に、その基板全面にわたって2次元的に連続する化合物半導体からなる単結晶薄膜を得ることを最終的な目的としている。そのための第一の目的として、非単結晶基板上に連続した単結晶テンプレート層をナノインプリント的手法により得ることを目指している。
当該年度は、単結晶テンプレート層を得るための材料およびその熱処理条件に関する検討を主として行った。すなわち、テンプレート層を形成するための薄膜材料についてどのようなものが良いかを検討し, また、熱処理の温度・パターン・雰囲気などについて実験により得られた結果を照らし合わせそれらに対する依存性を調べた。
いくつかの材料について検討を行ったが, その中で, In薄膜に関してはそれを酸素の存在する雰囲気において熱処理することで, 酸化および結晶化することを試みた。その結果, 熱処理時の酸素分圧を適度に調整することでその結晶化が促進されることが確認された。また, Cu薄膜に関しては, それを不活性な雰囲気において熱処理することで, 結晶化の様子を調べた。その結果, Cu薄膜の結晶性が良好となるような熱処理の条件が極めて狭い範囲にあることが確認された。
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