| 研究概要 |
当該年度は,単結晶下地層の上に形成する薄膜材料をある程度具体的に絞り,下地層にどのような材料を用いることで,その上に形成する薄膜材料の結晶性が良好なものに保たれるかを検討した。
単結晶下地層の上に形成する薄膜材料としては種々の半導体材料が考えられるが,ここではII-VI族化合物半導体であるCdTeを例にとり,検討を行った。また,下地層の材料としては,Ni,Al,Mo,Ti,TiN,ZnO,およびIn_2O_3などについて検討した。これらの下地層をエピタキシャル成長した後に,その上にCdTe薄膜を形成した場合の諸特性の変化について比較検討を行った。
上記の検討を行った中で,Ti,TiN,およびIn_2O_3などを下地層とした場合にはその上に形成したCdTe薄膜の結晶性は良好なものとなり,また,それに伴いCdTe薄膜の諸特性も良好な状態で得られることを確認した。したがって,例えばCdTe薄膜を形成するための単結晶テンプレート層の材料としては,少なくとも上記の材料が含まれていなければならないといえる。
さらに,上記の検討に加えて,同一の薄膜材料を単結晶基板上およびアモルファス基板上へ同時に形成した場合に得られる結晶性や諸特性の比較を半定量的に行った。このことにより,単結晶の下地を用いることによる薄膜の特性改善効果の程度を半定量的に確認した。
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