| 研究概要 |
本研究では当該研究期間に単結晶テンプレート層として相応しい材料を探索し,それらの各材料の単結晶成長の条件について検討を行った。また,各種のテンプレート層材料と半導体薄膜との組み合わせを検討した。In薄膜に関しては,熱処理時の温度に応じてその雰囲気を不活性から酸素が存在するものへ変えることでIn_2O_3薄膜を形成すると同時に,その結晶成長の制御ができることを明らかにした。その他の金属薄膜に関しても,狭い条件範囲ではあるが単結晶成長が可能であることを明らかにした。In_2O_3薄膜に関しては,いくつかの化合物半導体薄膜に対してテンプレート層として用いることが可能であることを明らかにした。
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