研究課題
基盤研究(C)
InN は、0.63eVの小さな禁制帯幅など特異な物性をもち、高速電子素子への応用が期待される窒化物である。我々は、InN表面や基板界面付近での電子蓄積層による電子物性解析の困難性を赤外分光により初めて解決し、内部領域における電子移動度が5000cm2/Vs近くに及ぶことを解明した。電子・正孔散乱では刃状転位が主な散乱源であるが、正孔では更にMg散乱の効果が同様に大きいことを示した。InN/InGaNヘテロ構造では界面付近局在電子は密度1013cm-2に及ぶこと、電子波動関数の染出しによりその移動度はInGaNにより決まるため小さく、混晶の結晶性向上が必須であることを示した。
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