紫外線光波帯・ワイドギャップ半導体APD素子の開発

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560009
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 鳥取大学
• 研究代表者: 安東 孝止 鳥取大学, 工学研究科, 教授 (60263480)
• 研究分担者: 阿部 友紀 鳥取大学, 工学研究科, 准教授 (20294340)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: 紫外光波帯APD素子 / ワイドギャップ化合物半導体APD素子 / 有機-無機複合型APD素子 / 化合物半導体MBE成長

研究概要

シリコン(Si)に代わる新規なワイドギャップ化合物半導体による紫外光波帯の高感度光検出素子を高品質ZnSSe結晶薄膜のMBE成長をベースにして開発した。PIN構造の紫外検出素子において350nmの紫外線波長で60%を超える外部量子効率を得た。また、APD素子では新規に有機-無機ハイブリッド構造を提案し、紫外で初めてのAPD動作の検証に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with traqnsparent conducting plymer windowlayer (2010)
  • 著者名/発表者名: T、Abe、K.Ando, etal.
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi B247 ページ: 1706-1708
• [雑誌論文] Strucural Insataibility of N-acceptors in homo- and heteroepitaxially grown ZnO by MBE (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ando、T.Abe, etal.
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi B247 ページ: 1453-1456
• [雑誌論文] Structural Insatability of N-acceptors in Homo and Heteroepitaxially Grwon ZnO by MBE. (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ando、T.Abe、T.Taya、Y.Ishihara、K.Enomoto、Y.Yamazaki、J.Yoshika-wa、J.Fujino、H.Nakamura、T.Ohno, H.Kasada
  • 雑誌名: Phys.Status.Solidi B1-4 2010
• [雑誌論文] High Senisitve Ultraviolet Schottky Photodetectors of ZnSSe Organic-Inorganic Hybrid Structure on p+-GaAs Substrate. (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Tanaka、D.Katada、K.Miki、M.Nomura、Y.Inagaki、T.Tani、T.abe、H.Kasada, K.Ando
  • 雑誌名: 28th Electronic Material Symposium (EMS-28) Extended Abstaract. EMS-28 ページ: 241-244
• [雑誌論文] High Sensitive Ultraviolet Organic-Inorganic Hybrid Photodetectors grown on p-GaAs with Transparent Conducting Polymer Window-layer Proceeding in14th II-VI compounds (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Abe、K.Ando, et.al.
• [雑誌論文] High Sensitive Ultraviole PIN Photodiodes of ZnSSe n+-i-p Structure p+-GaAs with extremely thin n+-Window layer grown by MBE (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Miki、Y.Oshita、K.Ando, etal.
  • 雑誌名: J.Korean Phys.Society 53 ページ: 2925-2928
• [雑誌論文] High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with transparent conduction plymer window-Layer.
  • 著者名/発表者名: T.Abe、D.Katada、K.Miki、K.Tanaka、M.Nomura、Y.Inagaki、T.Tani、M.Ohtsuki、H.Kasada, K.Ando
  • 雑誌名: Phys.Status.Solidi C1-3 2010
• [学会発表] 有機-無機半導体ハイブリッド型紫外光検出素子の暗竃流制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 稲垣雄介、安東孝止, 他
  • 学会等名: 応用物理学会(2010年中国四国支部学術講演会)
  • 発表場所: 高知大学
  • 年月日: 2010-07-31
• [学会発表] ZnSSe系II-VI族ワイドギャップ半導体を用いた紫外高感度光検出素子の開発 (2009)
  • 著者名/発表者名: 田中健、堅田大輔、阿部友紀、安東孝止, 他
  • 学会等名: 他2009応用物理学・中四国支部学術講演会
  • 発表場所: 広島大学
  • 年月日: 20090801-20090802
• [学会発表] 2009年春季 (2009)
  • 学会等名: 第56回応用物理関係連合講演会
  • 発表場所: つくば大学
  • 年月日: 2009-04-01
• [図書] 高効率太陽電池の開発と応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山口真史、安東孝止, 他
  • 総ページ数: 159-178
  • 出版者: シーエムシー出版
• [産業財産権] 無機半導体および有機-無機半導体ハイブリッド型光電変換デバイス (2009)
  • 発明者名: 安東孝止, 他
  • 権利者名: 鳥取大学
  • 産業財産権番号: 特許,特願:2009-164734
  • 出願年月日: 2009-07-13