研究課題
基盤研究(C)
本研究では、ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化を目的として研究を推進した。結晶方位の制御されたSiGe結晶を形成する手法、及びSiGe半導体上への歪みエピタキシャル成長を検討した。更に、SiGe薄膜トランジスタの要素プロセスを検討し、S/D電極をシリサイド接触とした高速薄膜トランジスタの作製プロセスを構築した。
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