研究課題
基盤研究(C)
Type-IIであるZnSe-ZnTe超格子に二重サブバンド(DSB)構造を持たせると光強度の変調効果を示す。この超格子はその構造に依存するものの、例えば8Kにおいて1.8と2.1eVに2つの基底状態を持つ。基板部分の約1mmφを取り除かれた資料はHe-Neレーザー光(1.96eV)を吸収されながらも透過する。その部分に1.96eVより大きなエネルギーのレーザー光を照射すると、透過していたHe-Neレーザー光の等価強度が10%ほど増加する。
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