2010 年度研究成果報告書

水素共添加によるp型ZnOドーピング技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号	20560014
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	石巻専修大学
研究代表者	安田隆石巻専修大学, 理工学部, 教授 (90182336)
研究期間 (年度)	2008 – 2010
キーワード	酸化亜鉛 / ゾル / ゲル法 / 水素 / 電気伝導 / ドナー / アクセプター
研究概要	ゾル・ゲル法で作成したZnO薄膜中の水素の振る舞いを検討した。水素ガス中で熱処理することにより,ZnOの抵抗率は熱処理前に比べて2桁低下した。この結果は,結晶中を拡散した水素が,ドナーとして機能していることを示している。次いで,低抵抗化した試料を,再度大気中で熱処理することにより,抵抗率を元の値に戻すこと,すなわち水素ドナーを結晶から引き出すことに成功した。水素を用いることにより,ZnO結晶中に,ドナーを自由に出し入れできることが明らかとなった。