研究課題
基盤研究(C)
本研究は,比較的に室温に近い68℃程度で4桁に及ぶ抵抗変化を伴う絶縁体-金属相転移を示す酸化バナジウム薄膜の電界誘起スイッチング現象に関するものである.酸化バナジウム薄膜上に電極間隔5μm程度の微小ギャップを有するプレーナ型素子を作製し高速パルス印加に対するスイッチング特性を測定し,100nsオーダーの高速動作を達成した.本現象は電界印加に対するVO2の電子的な挙動,即ち強い電子相関に起因するものと考察され,VO_2を動作層とする高速スイッチング素子開発の指針を示した.
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