酸化物薄膜の結晶方位選択エピタキシャル成長の二次元制御の研究

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560024
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: いわき明星大学
• 研究代表者: 井上 知泰 いわき明星大学, 科学技術学部, 教授 (60193596)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: 薄膜 / 方位選択エピタキシャル成長

研究概要

シリコン(100)基板上の二酸化セリウム(CeO_2)薄膜のエピタキシャル成長において、基板表面電位分布制御により成長する結晶面方位を自由に選択可能となる、方位選択エピタキシの研究を進めた。成長する面方位の空間分布を変化させる狙いから、電子ビームを照射する方法を採用し、本研究で導入した吸収電流像モニタを利用して、電子ビーム照射領域の大きさと位置を制御し、同一基板上にCeO_2(100)とCeO_2(110)領域を二次元制御して形成することに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si (100) Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, N. Igarashi, Y. Kanno, S. Shida
  • 雑誌名: Thin Solid Films
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
  • 雑誌名: いわき明星大学科学技術学部研究紀要 24 ページ: 1-6
• [雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100)/Si(100) Structures using Absorption Electron Imaging System (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, S. Shida
  • 雑誌名: Electrochem.Soc.Trans. 25 ページ: 187-197
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selec-tive Epi-taxial Growth of CeO_2(100)/Si(100) Structures (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
  • 雑誌名: J.Electrochem.Soc. 155 ページ: G237-G240
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si(100)/Si(100) Structures (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
  • 雑誌名: Electrochem.Soc.Trans. 13 ページ: 341-351
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si (100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, Y. Nakata, S. Shida
  • 雑誌名: J.Phys.Conf.Ser. 100 ページ: 082014
  • 査読あり
• [学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2 層の形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、信田重成
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成II (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、信田重成
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si (100) Substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰, 五十嵐永将, 菅野雄樹, 信田重成
  • 学会等名: European Mat.Res.Soc.2010 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、五十嵐永将、菅野雄樹、信田重成
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Effect of Electron Incidence in Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si (100) Substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰, 信田重成
  • 学会等名: 216th Electro chem.Soc.Meeting
  • 発表場所: Vienna, Austria
  • 年月日: 2009-10-05
• [学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用II (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、信田重成
  • 学会等名: 第70回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、大竹秀幸、大谷純一郎、信田重成
  • 学会等名: 第56 回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャルCeO_2(100)/Si(100)構造の成長条件最適化II (2008)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰、信田重成
  • 学会等名: 第69回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si(100)/Si(100) Structures (2008)
  • 著者名/発表者名: 井上知泰, 大竹秀幸, 大谷純一郎, 信田重成
  • 学会等名: 213th Electrochem.Soc.Meeting
  • 発表場所: Phoenix, AZ USA
  • 年月日: 2008-05-20
• [図書] Oxide Thin Film Technology Kelara, India (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue, T. Chikyow
  • 総ページ数: 174
  • 出版者: Transworld Research Network, Trivandrum
• [図書] Orientation Selectivity Control by Surface Potential Modification in Oxide Thin Film Epitaxial Growth New York (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Inoue
  • 総ページ数: 197-230
  • 出版者: Nova Science Publishers Inc.
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://www.iwakimu.ac.jp/research/kaken
• [産業財産権] Semiconductor device and manufactur-ing method thereof (2008)
  • 発明者名: Ichiro Mizushima, Tomoyasu Inoue
  • 権利者名: Toshiba Corp.
  • 産業財産権番号: 2008 APG045416 USA-A
  • 出願年月日: 2008-01-10
  • 外国
• [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法 (2007)
  • 発明者名: 水島一郎、井上知泰
  • 権利者名: (株)東芝
  • 公開番号: 特許,特開2008-160086
  • 出願年月日: 2007-11-22
• [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法 (2006)
  • 発明者名: 水島一郎、井上知泰
  • 権利者名: (株)東芝
  • 公開番号: 特許,特開2008-160086
  • 出願年月日: 2006-11-30