デバイス動作条件時AlGaN/GaN 2DEGの電子線ホログラフィーその場観察

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560028
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 竹口 雅樹 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ計測センター, 主幹研究員 (30354327)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: 電子線ホログラフィー / 窒化物半導体 / その場観察

研究概要

3端子電圧導入機構を備えた試料ホルダーを用いてサファイアC面基板の上に成長させたAlGaN/GaNにPt探針を接触させ、バイアス電圧を印加した時のAlGaN/GaNにおけるポテンシャル変化を電子線ホログラフィーによって観察した。バイアス印加などの実際にデバイスを動作させる様々な条件をTEM内に再現し、その時のポテンシャルの変化を電子線ホログラフィーによって研究することができることが実証された。

研究成果

• [雑誌論文] Phase Separation Resulted from Mg-doping in p-InGaN film grown on GaN/sapphire template (2010)
  • 著者名/発表者名: L.Sang, M.Takeguchi, W.Lee, T.Sekiguchi, L.Lozach, M.Sumiya
  • 雑誌名: Applied Physics Express 3巻 ページ: 111004(1)-111004(4)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and hard X-ray photoemission analysis of photocathodes with sharp solar-blind sensitivity using AlGaN films grown on Si substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Sumiya, Y.Kamo, N.Ohashi, M.Takeguchi, Y.-U.Heo, H.Yoshikawa, S.Ueda, K.Kobayashi, T.Nihashi, M.Hagino, T.Nakano, S.Fuke
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256巻 ページ: 4442-4446
  • 査読あり
• [雑誌論文] Periodic supply of indium as surfactant for N-polar InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Yao, T.Sekiguchi, T.Ohgaki, Y.Adachi, N.Ohashi, H.Okuno, M.Takeguchi
  • 雑誌名: Applied Physics Letter 95巻 ページ: 041913(1)-041913(3)
  • 査読あり
• [雑誌論文] 先端透過型電子顕微鏡法を用いたIII属窒化物半導体ヘテロ界面評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹口雅樹
  • 雑誌名: 表面技術 59巻 ページ: 783-788
• [雑誌論文] Sample Preparation of GaN- Based Materials on a Sapphire Substrate for STEM Analysis (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Okuno, M.Takeguchi, K.Mitsuishi, X.Guo, Y.Irokawa, Y.Sakuma, K.Furuya
  • 雑誌名: Journal of Electron Microscopy 57巻 ページ: 1-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN hetero- structures using TEM and HAADF-STEM (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Okuno, M.Takeguchi, K.Mitsuishi, X.Guo, Y.Irokawa, Y.Sakuma, K.Furuya
  • 雑誌名: Surface Interface Analysis 40巻 ページ: 1660-1663
  • 査読あり
• [雑誌論文] HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN hetero-structures (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Takeguchi, H.Okuno, K.Mitsuishi, Y.Irokawa, Y.Sakuma, K.Furuya
  • 雑誌名: AMTC Letters 1巻 ページ: 66-67
  • 査読あり
• [学会発表] Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi
  • 学会等名: 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 20090825-20090828
• [学会発表] Electron Holography Observation of AlInGaN/GaN Hetero interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Takeguchi, H.Okuno, Y.Irokawa, Y.Sakuma, K.Furuya
  • 学会等名: The 9th Asia-Pacific Microscopy Conference (APMC9)
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 20081102-20081107
• [学会発表] Characterization of AlInGaN/GaN heterointerface by HAADF-STEM and electron holography (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Takeguchi, H.Okuno, Y.Irokawa, Y.Sakuma, K.Furuya
  • 学会等名: Microscopy & Microanalysis 2008 Meeting
  • 発表場所: Albuquerque, NM, USA
  • 年月日: 20080803-20080807