研究課題
基盤研究(C)
ナノプローブの押し込みにより量子ドット個々からの発光に対応した微細なピークを持つ発光スペクトルが増強される現象が測定された。ナノプローブの押し込み位置の変化に伴う個々の量子ドットからの発光エネルギーの連なりを描くことにより、個々の量子ドットの位置を同定することが可能である。本研究で開発した円筒形状のナノプローブを用いた場合、発光エネルギーの連なりに極大点が現れることから、直接ナノスケールで量子ドットの位置を測定することが出来た。
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