研究課題
基盤研究(C)
本研究では,SiC-MOSFETのような次世代超高速スイッチング素子を使用することを想定し,高dv/dtスイッチング動作に対応できる電力変換器を開発するとともに,その周辺回路技術を確立した。その結果,全てのスイッチング素子が同電位で駆動される新規トポロジー提案し,ゲートドライブ回路におけるコモンモードノイズ電流を1/5に低減するマルチコアトランス絶縁電源を開発した。
すべて 2010 2009 2008
すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (6件)
Elsevier B.V.Energy Conversion and Management vol.51, no.7
ページ: 1491-1499
IEE-J Transactions on Industry Applications vol.129-D, no.5
ページ: 505-510
電気学会論文誌 vol.129-D, no,5
ページ: 46-52