| 研究概要 |
本研究は,パワー半導体のスイッチング機能を利用した低圧用直流遮断器を提案・検討している。半導体として,オンオフ制御半導体の代表であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いた。ゲート・エミッタ間電圧に対するIGBTのコレクタ・エミッタ間抵抗の依存性に着眼し,直流限流遮断の達成のための回路要素の構成を考案した。この考案に基づいて,モデルIGBT型直流遮断器を構成した。モデル器に電流遮断実験を課した結果,モデル器は,電源電圧120Vの下で,10～80Aの直流電流を限流遮断することに成功した。また,限流遮断時間を制御できることも検証することができた。IGBTのみならず,サイリスタ型遮断器についても回路要素構成を検討し,限流遮断過程を示すことができた。
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