研究課題
基盤研究(C)
2組の対向ターゲット対を有するスパッタ装置を構築し,CS_2反応性ガス中でのCuとInの交互堆積により薄膜作製を試みた。組成は交互堆積時間比で(Cu_xS)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)系で変化し,化学量論組成付近でCuInS_2の基礎吸収端を有する多結晶CuInS_2薄膜が得られた。多元蒸着法によるエピタキシャル薄膜ではCu/In比に加えて格子歪みが薄膜成長過程に関連していた。
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Japanese Journal of Applied Physics Vol.50 in press.
status solidi (c) Vo1.6
ページ: 1019-1022