シリコン系薄膜の光吸収スペクトル評価による局在準位起源の解明に関する研究

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560294
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 岐阜大学
• 研究代表者: 吉田 憲充 岐阜大学, 工学研究科, 准教授 (70293545)
• 研究分担者: 野々村 修一 岐阜大学, 工学研究科, 教授 (80164721) ; 夏原 大宗 岐阜大学, 工学部, 助教 (30444334)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: 電気・電子材料 / 物性実験

研究概要

アモルファスシリコンの製膜条件と微結晶シリコンの製膜条件との境界領域で作製したシリコン薄膜における光吸収スペクトルを光熱ベンディング分光法により測定し、光子エネルギー1.4eVを中心とする1.1eVから1.6eVで観測された新しい光吸収について、その起源を調べるための研究を行った。光照射により光吸収が減少するなどの実験結果より、シリコン薄膜中に存在する極微小(4nm以下)のシリコン結晶粒が光吸収の起源と考えられる。

研究成果

• [雑誌論文] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells (2010)
  • 著者名/発表者名: Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) Vol.7, No.3-4 ページ: 790-792
  • 査読あり
• [雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si : H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: Norimitsu Yoshida, Yasuko Shimizu, Takashi Honda, Toshiaki Yokoi, Shuichi Nonomura
  • 雑誌名: Journal of on-Crystalline Solids Vol.354 ページ: 2164-2166
  • 査読あり
• [学会発表] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells (2009)
  • 著者名/発表者名: Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
  • 学会等名: 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
  • 発表場所: Utrecht, the Netherlands.
  • 年月日: 2009-08-24
• [備考] ホームページ等