LSIと共存可能なシリコン・イオン注入型MOS発光素子の研究

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560307
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 富山県立大学
• 研究代表者: 松田 敏弘 富山県立大学, 工学部, 教授 (70326073)
• 研究分担者: 岩田 栄之 富山県立大学, 工学部, 准教授 (80223402)
• 連携研究者: 岩坪 聡 富山県工業技センター, 中央研究, 幹研究員 (30416127)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: シリコン / MOS / 発光

研究概要

酸化膜にシリコン・イオンを注入したMOS(Metal Oxide Semiconductor)構造を用いて、大規模集積回路(LSI)内に共存できるシリコン系発光素子の研究を行った。電気的特性解析では、シリコン・イオン注入によって電流-電圧特性がヒステリシスを持つことを示した。発光特性解析では、シリコン・イオンの注入量と注入エネルギーによって発光の主要な波長成分が変化することを示し、発光機構モデルを提案した。

研究成果

• [雑誌論文] Current-Voltage Hysteresis Characteristics in MOS Capacitors with Si-Implanted Oxide (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuda, S. Ishimaru, S. Nohara, H. Iwata, K. Komoku, T. Morishita, T. Ohzone
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics vol.E92-C, no.12 ページ: 1523-1530
  • 査読あり
• [学会発表] Siイオン注入型発光素子の電気的および発光特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野原慎吾, 松田敏弘, 岩田栄之
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 福井工業高等専門学校
  • 年月日: 2010-09-11
• [学会発表] Spectrum Analysis of Electroluminescence from MOS Capacitors with Si-ImplantedSiO2 (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Matsuda, S.Nohara, S. Hase, H.Iwata, T. Ohzone
  • 学会等名: International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
  • 発表場所: University of Maryland
  • 年月日: 2009-12-09
• [学会発表] Siイオンを注入したMOS型発光素子の電気的および発光特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 野原慎吾, 松田敏弘, 岩田栄之
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 北陸先端科学技術大学院大学
  • 年月日: 2009-09-12
• [学会発表] Siイオンを注入したMOS 型発光素子の電気的および発光特性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 石丸真佑, 松田敏弘, 岩田栄之
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2008-09-13