| 研究概要 |
1.SPV法による多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性評価
昨年度に立ち上げた結晶性評価装置におけるSPVプローブ部を小型化し,平面分解能を向上させた。同時に高感度化を行い,試料表面とプローブの間隔を0.1mm程度まで大きくすることを可能にし,実用化に向けて進展させた。今後,ボトムゲート型TFT構造へ対応可能かを調べていく。
2.ACSPV法による不純物汚染したSi表面における不純物の挙動及び酸化膜成長への影響の解析
(1)Si表面及び内部のキャリア挙動(ライフタイム)の分別を行うため,複数の波長の異なる光(365nm,470nm,及び980nm)によるキャリア励起が行えるようSPV装置の改造を行った。本装置で測定したAC SPV周波数特性から求めた少数キャリアライフタイムとマイクロ波光導電減衰法により求めた少数キャリアライフタイムとは良い対応が得られ,Si内部のキャリア挙動を調べることを可能にした。今後,Si表面及び内部のキャリア挙動の分別について検討を行う。
(2)鉄(Fe)汚染したSi表面を低温(～500℃)で酸化し,AC SPV法によりFe誘起酸化膜負電荷を調べたところ,約400℃で発生する酸化膜負電荷は最も少なくなった。この温度(約400℃)を境界に,低温と高温ではFeによる酸化膜負電荷の発生とFeの挙動は異なることが示唆された。
(3)クロム(Cr)汚染したSi表面を低温(～500℃)で酸化し,ACSPV法によりCr誘起酸化膜負電荷を調べたところ,Fe汚染試料とは異なり,酸化温度300℃～400℃において発生する酸化膜電荷が最も多くなることが分かった。
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