| 研究概要 |
1.SPV法による多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性評価
表面光電圧(SPV)法を用いた結晶性評価装置の高感度化を行った。また,多結晶Si薄膜の平均結晶粒径とSPVの関係を明らかにした。更にボトムゲート型TFT構造試料において,SPV法により評価が出来る可能性を示した。
2.AC SPV法による不純物汚染したSi表面における不純物の挙動及び酸化膜成長への影響の解析
(1)複数の波長(365nm,470nm,及び980nm)の励起光によるSPV測定を可能にした。この中で,長波長の980nmの励起光を用いてバルクSiにおける少数キャリアのライフタイム測定を行い,金(Au)や鉄(Fe)の拡散によるライフタイム減少を確認した。今後も引き続き,Si表面及び内部の少数キャリア挙動の分別について検討を行う。
(2)Au汚染したsi表面を低温(100～500℃)で酸化し,AuはSiO_2表面およびSi/SiO_2界面にクラスターとして存在し,Au/n-Siショットキー接触によるAC SPVの発生が観察された。酸化温度500℃以下でも酸化温度750℃以上と同様に,Auは酸化膜成長を増速させる触媒として作用することが分かった。
(3)クロム(Cr)汚染したSi表面を温度550℃以上の比較的高温で熱酸化し,アルミニウム(Al)やFeと同様((AlOSi)^-および(FeOSi)^-)に,SiO_2中で(CrOSi)^-またはCrO_2^-ネットワークを作り負電荷を発生させる事をAC SPV周波数特性より明らかにした。これらSiO_2中の負電荷を発生するネットワークは高温・長時間の酸化により崩壊していく。
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