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2010 年度 研究成果報告書

表面光電圧法によるフラットパネルディスプレイ用多結晶Si膜の結晶性評価技術の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 20560308
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関日本大学

研究代表者

清水 博文  日本大学, 工学部, 教授 (10318371)

研究分担者 池田 正則  日本大学, 工学部, 准教授 (10222902)
研究期間 (年度) 2008 – 2010
キーワード作成 / 評価技術
研究概要

交流表面光電圧(Alternating current surface photovoltage:AC SPV)を用いて,多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性を非接触で評価できる装置を開発した。また,Si単結晶表面を酸化した際の微量の金属不純物[金(Au),鉄(Fe),クロム(Cr)]の挙動についてAC SPV法により明らかにした。更にこれらの金属不純物原子がSi表面における酸化膜成長に及ぼす影響を調べた。

  • 研究成果

    (24件)

すべて 2011 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (19件)

  • [雑誌論文] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011

    • 著者名/発表者名
      池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
    • 雑誌名

      日本大学工学部紀要 第52巻,第2号

      ページ: 35-40

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49

      ページ: 038001

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface2010

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, S.Shimada, S.Nagase, S.Muta, M.Ikeda
    • 雑誌名

      J.Vac.and Technol. Vol.28

      ページ: 94-98

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009

    • 著者名/発表者名
      嶋田定剛,清水博文,池田正則
    • 雑誌名

      日本大学工学部紀要 第51巻,第1号

      ページ: 33-41

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si (001) surfaces2008

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, H.Wakashima, S.Shimada, T.Ishikawa, M.Ikeda
    • 雑誌名

      Surface and Interface Analysis Vol.40

      ページ: 627-630

    • 査読あり
  • [学会発表] 非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2010

    • 著者名/発表者名
      池田正則(清水博文)
    • 学会等名
      平成22年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      八戸工業大学
    • 年月日
      2010-08-26
  • [学会発表] Photon-assisted surface photovoltage in thermally oxidized metal-contaminated n-type silicon wafers2010

    • 著者名/発表者名
      清水博文
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on Photo-Excited Processes and Applications
    • 発表場所
      Copenhagen and Sonderborg, Denmark
    • 年月日
      2010-08-17
  • [学会発表] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2010

    • 著者名/発表者名
      眞田悠司(清水博文)
    • 学会等名
      平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
    • 発表場所
      東北大学多元研
    • 年月日
      2010-03-10
  • [学会発表] 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面における酸化膜負電荷の解析2009

    • 著者名/発表者名
      大槻智大(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第64回学術講演会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2009-12-04
  • [学会発表] 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価2009

    • 著者名/発表者名
      長瀬慎太郎(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第64回学術講演会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2009-12-04
  • [学会発表] 熱酸化したSb汚染p型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価2009

    • 著者名/発表者名
      牟田壮志郎(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第64回学術講演会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2009-12-04
  • [学会発表] 交流表面光電圧法による熱酸化したFe汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価2009

    • 著者名/発表者名
      大槻智大(清水博文)
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面におけるCrの挙動2009

    • 著者名/発表者名
      長瀬慎太郎(清水博文)
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 交流表面光電圧法による熱酸化したP汚染及びSb汚染p型Siにおける酸化膜電荷の評価2009

    • 著者名/発表者名
      牟田壮志郎(清水博文)
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2009

    • 著者名/発表者名
      池田正則(清水博文)
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
  • [学会発表] Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO_2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces2008

    • 著者名/発表者名
      清水博文
    • 学会等名
      AVS 55^<th> International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      20081000
  • [学会発表] 熱酸化したFe故意汚染n型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析2008

    • 著者名/発表者名
      大槻智大(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第63回学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2008-12-04
  • [学会発表] Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすCrの影響2008

    • 著者名/発表者名
      長瀬慎太郎(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第63回学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2008-12-04
  • [学会発表] Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響2008

    • 著者名/発表者名
      牟田壮志郎(清水博文)
    • 学会等名
      応用物理学会東北支部第63回学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2008-12-04
  • [学会発表] 熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動(その2)2008

    • 著者名/発表者名
      嶋田定剛(清水博文)
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2008

    • 著者名/発表者名
      池田正則(清水博文)
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02
  • [学会発表] Auによるn型Si(100)表面における熱酸化膜成長の増速2008

    • 著者名/発表者名
      牟田壮志郎(清水博文)
    • 学会等名
      平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2008-08-21
  • [学会発表] Au故意汚染して熱酸化したn型Si(100)表面におけるAuの分布2008

    • 著者名/発表者名
      長瀬慎太郎(清水博文)
    • 学会等名
      平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2008-08-21
  • [学会発表] 交流表面光電圧法によるn型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析2008

    • 著者名/発表者名
      大槻智大(清水博文)
    • 学会等名
      平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      日本大学工学部
    • 年月日
      2008-08-21

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公開日: 2012-01-26   更新日: 2016-04-21  

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