研究課題
基盤研究(C)
交流表面光電圧(Alternating current surface photovoltage:AC SPV)を用いて,多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性を非接触で評価できる装置を開発した。また,Si単結晶表面を酸化した際の微量の金属不純物[金(Au),鉄(Fe),クロム(Cr)]の挙動についてAC SPV法により明らかにした。更にこれらの金属不純物原子がSi表面における酸化膜成長に及ぼす影響を調べた。
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日本大学工学部紀要 第52巻,第2号
ページ: 35-40
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
ページ: 038001
J.Vac.and Technol. Vol.28
ページ: 94-98
日本大学工学部紀要 第51巻,第1号
ページ: 33-41
Surface and Interface Analysis Vol.40
ページ: 627-630