研究課題
基盤研究(C)
本研究では、シリコン微結晶系平面型冷陰極の放射電子の発散角およびエネルギー分散が大きい要因を明らかにすべく、放射電子の面内分布計測およびエネルギー分析を行った。その結果、ゲート電極の薄膜化に伴う電圧降下に起因して電子放射領域内のポテンシャル分布が中心部ほど弱くなり、不均一となることが主因であることを明らかにした。平面型冷陰極の高指向化および低エネルギー分散化に向けて、電子放射領域を小さく分割したアレイ構造を提案し、その有効性を実験的に示した。
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J. Vac. Sci. Technol
巻: B28 ページ: C2C49-C2C52
Proc. of the 17th Int. Display Workshops
ページ: 2001-2004
Tech. Digest of the 23rd Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
ページ: 74-75
Proc. of the 34th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
ページ: 67-68
Proc. of the 16th Int. Display Workshops
Tech. Digest of the 22nd Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
ページ: 309-310
Tech. Digest of the 21st Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
ページ: 128-129
信学技報
巻: 108, 177 ページ: ED2008-12