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2010 年度 研究成果報告書

シリコン微結晶平面型冷陰極の高指向化および低エネルギー分散化に関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 20560333
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関八戸工業大学

研究代表者

嶋脇 秀隆  八戸工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80241587)

研究分担者 三村 秀典  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90144055)
研究期間 (年度) 2008 – 2010
キーワード微小冷陰極 / トンネル電子放射 / エミッションプロファイル / エネルギー分析 / シリコン微結晶 / 真空ナノエレクトロニクス
研究概要

本研究では、シリコン微結晶系平面型冷陰極の放射電子の発散角およびエネルギー分散が大きい要因を明らかにすべく、放射電子の面内分布計測およびエネルギー分析を行った。その結果、ゲート電極の薄膜化に伴う電圧降下に起因して電子放射領域内のポテンシャル分布が中心部ほど弱くなり、不均一となることが主因であることを明らかにした。平面型冷陰極の高指向化および低エネルギー分散化に向けて、電子放射領域を小さく分割したアレイ構造を提案し、その有効性を実験的に示した。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (5件)

  • [雑誌論文] Evaluation of emission uniformity of nanocrystalline silicon planar cathodes2010

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, K. Murakami, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol

      巻: B28 ページ: C2C49-C2C52

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhanced Electron Emission from nc-Si MOS Cathode by Laser Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Proc. of the 17th Int. Display Workshops

      ページ: 2001-2004

  • [雑誌論文] Photo-assisted Electron Emission from MOS-type Cathode Based on Nanocrystalline Silicon2010

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Tech. Digest of the 23rd Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.

      ページ: 74-75

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron Emission from Planar-type Cathodes based on Oxidized Nanocrystalline Silicon2010

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, K. Murakami, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Proc. of the 34th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits

      ページ: 67-68

  • [雑誌論文] Intensity Distribution of Electron Emission from nc-Si MOS Cathode2009

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, K. Murakami, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Proc. of the 16th Int. Display Workshops

      ページ: 2001-2004

  • [雑誌論文] Emission uniformity of nanocrystalline silicon based metal-oxide-semiconductor cathodes2009

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, K. Murakami, Y. Kida, Y. Neo, H. Mimura, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Tech. Digest of the 22nd Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.

      ページ: 309-310

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron emission from nanocrystalline silicon based metal-oxide-semiconductor cathode arrays2008

    • 著者名/発表者名
      H. Shimawaki, Y. Kida, Y. Neo, H. Mimura, K. Murakami, F. Wakaya, and M. Takai
    • 雑誌名

      Tech. Digest of the 21st Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.

      ページ: 128-129

    • 査読あり
  • [雑誌論文] シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性2008

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 木田庸, 根尾陽一郎, 三村秀典, 村上勝久, 若家富士夫, 高井幹夫
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 108, 177 ページ: ED2008-12

  • [学会発表] nc-Si MOS冷陰極の光照射特性2010

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 根尾陽一郎, 三村秀典, 若家富士夫, 高井幹夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
  • [学会発表] nc-Si MOSカソードアレイのエミッション均一性の評価2010

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 根尾陽一郎, 三村秀典, 村上勝久, 若家冨士男, 高井幹夫
    • 学会等名
      第7回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      静岡大学浜松キャンパス
    • 年月日
      2010-03-03
  • [学会発表] nc-Si MOSカソードのエミッション均一性の評価2009

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 村上勝久, 木田庸, 根尾陽一郎, 三村秀典, 若家富士夫, 高井幹夫
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] nc-Si MOSカソードアレイの諸特性2009

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 根尾陽一郎, 三村秀典, 村上勝久, 若家富士夫, 高井幹夫
    • 学会等名
      第6回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター
    • 年月日
      2009-03-04
  • [学会発表] nc-Si MOS冷陰極アレイの電子放射特性2008

    • 著者名/発表者名
      嶋脇秀隆, 木田庸, 根尾陽一郎, 三村秀典, 村上勝久, 若家富士夫, 高井幹夫
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02

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公開日: 2013-07-31  

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