MIS/GaN-FETに於けるMIS構造の物性研究

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20560341
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 立命館大学
• 研究代表者: 城川 潤二郎 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
• 研究分担者: 金子 昌充 立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員 (70374709)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: GaN / MIS-FET / SiN / interface / trap / inversion layer / KFM / CV

研究概要

SiN/GaNのMIS構造に於いて、SiNの成膜方法、プロセスによってSiN/GaN界面の準位がどのように変化するのかを研究した。SiNのストイキオメトリーを変化させることにより、固定電荷の量が変化し、更に、アニール処理によっても変化する。これは、SiNとGaNの界面に於けるN原子密度差によって発生する結晶欠陥によるものと考え、界面dipoleモデルで解釈が可能であることを提案した。

研究成果

• [雑誌論文] Study of the flatband voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguch, Y.Nanishi
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi B 246 ページ: 1649-1652
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods (2009)
  • 著者名/発表者名: J.Kikawa, Y.Horiuchi, E.Shibata, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A. Yamaguchi, Y Nanishi
  • 雑誌名: Material researchsociety symposium proceedings 1108 ページ: 157-161
  • 査読あり
• [学会発表] Study of the flat bandvoltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing (2009)
  • 著者名/発表者名: J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguchi, Y Nanishi
  • 学会等名: 2009 E-MRS Fall meeting
  • 発表場所: Warsaw,Poland
  • 年月日: 2009-09-17
• [学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
  • 学会等名: 秋季 第70回 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学、富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] CV測定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
  • 学会等名: 春季第56回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: つくば大学、茨城
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconduct or structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods (2008)
  • 著者名/発表者名: 城川潤二郎, 堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充, 大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎, 山口敦司, 名西〓之
  • 学会等名: 2008 Materials Research Society Fall meeting
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2008-12-02
• [学会発表] GaN MIS構造のCV特性検討2 (2008)
  • 著者名/発表者名: 城川潤二郎,堀内佑樹,柴田英次,金子昌充,大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
  • 学会等名: 第69回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知県中部大学、春日井市
  • 年月日: 2008-09-02