研究課題
基盤研究(C)
SiN/GaNのMIS構造に於いて、SiNの成膜方法、プロセスによってSiN/GaN界面の準位がどのように変化するのかを研究した。SiNのストイキオメトリーを変化させることにより、固定電荷の量が変化し、更に、アニール処理によっても変化する。これは、SiNとGaNの界面に於けるN原子密度差によって発生する結晶欠陥によるものと考え、界面dipoleモデルで解釈が可能であることを提案した。
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Phys.Status Solidi B 246
ページ: 1649-1652
Material researchsociety symposium proceedings 1108
ページ: 157-161