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2010 年度 研究成果報告書

MIS/GaN-FETに於けるMIS構造の物性研究

研究課題

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研究課題/領域番号 20560341
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関立命館大学

研究代表者

城川 潤二郎  立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)

研究分担者 金子 昌充  立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員 (70374709)
研究期間 (年度) 2008 – 2010
キーワードGaN / MIS-FET / SiN / interface / trap / inversion layer / KFM / CV
研究概要

SiN/GaNのMIS構造に於いて、SiNの成膜方法、プロセスによってSiN/GaN界面の準位がどのように変化するのかを研究した。SiNのストイキオメトリーを変化させることにより、固定電荷の量が変化し、更に、アニール処理によっても変化する。これは、SiNとGaNの界面に於けるN原子密度差によって発生する結晶欠陥によるものと考え、界面dipoleモデルで解釈が可能であることを提案した。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (5件)

  • [雑誌論文] Study of the flatband voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing2010

    • 著者名/発表者名
      J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguch, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi B 246

      ページ: 1649-1652

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2009

    • 著者名/発表者名
      J.Kikawa, Y.Horiuchi, E.Shibata, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A. Yamaguchi, Y Nanishi
    • 雑誌名

      Material researchsociety symposium proceedings 1108

      ページ: 157-161

    • 査読あり
  • [学会発表] Study of the flat bandvoltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing2009

    • 著者名/発表者名
      J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguchi, Y Nanishi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall meeting
    • 発表場所
      Warsaw,Poland
    • 年月日
      2009-09-17
  • [学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討2009

    • 著者名/発表者名
      城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
    • 学会等名
      秋季 第70回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] CV測定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討2009

    • 著者名/発表者名
      城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
    • 学会等名
      春季第56回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      つくば大学、茨城
    • 年月日
      2009-04-01
  • [学会発表] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconduct or structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2008

    • 著者名/発表者名
      城川潤二郎, 堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充, 大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎, 山口敦司, 名西〓之
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Fall meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-02
  • [学会発表] GaN MIS構造のCV特性検討22008

    • 著者名/発表者名
      城川潤二郎,堀内佑樹,柴田英次,金子昌充,大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
    • 学会等名
      第69回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県中部大学、春日井市
    • 年月日
      2008-09-02

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公開日: 2012-01-26   更新日: 2016-04-21  

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