研究課題
基盤研究(C)
テラヘルツ帯ホットエレクトロンボロメータ(HEB)の中間周波数(IF)の広帯化を目指し、準平面型ナノブリッジ構造、ミキサ特性評価およびSiO_2厚膜基板による導波管型HEBを検討した。ブリッジ幅約450nm、長さ約25nmのナノブリッジ作成プロセスを確立、準光学準平面型HEBミキサを試作し、ミキサ雑音温度、IF帯域幅の評価を行った。導波管型ミキサ作製を目指し、成膜により形成した膜厚20・mのSiO_2基板を形成、同基板の良好な平坦性を確認した。
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IEEE Trans. Appl.Supercond. Volume 21
ページ: 632-635