研究課題
基盤研究(C)
高エネルギー中性子の照射により材料中に生じる、点欠陥の集合体の照射下での成長/消滅挙動に関し、イオン照射実験をもとに、集合体が周囲に形成する点欠陥を捕獲する領域を評価し、これまでの想定よりも大きく、かつ歪み場により形成されること明らかにした。これをもとに微細組織変化シミュレーションを行い、集合体密度が飽和を生じる機構及び集合体の安定性を正確に定めることに成功し、将来的な照射損傷制御法の端緒を得た。
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Nuclear Engineering and Design 240
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