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本研究はギガヘルツ帯プリント回路基板の開発が目的であり、紫外レーザー照射と大気圧プラズマ処理を併用してPTFE基板の表面改質を施すことによって、PTFE基板と銅薄膜との密着性を向上させる。なお、表面改質法は、高周波特性を損ねないように銅薄膜/基板界面の平滑性が保たれる事を検討する。本年度では、次の成果を得た。(1)PTFE表面に石英ガラスを被せて作製した硫酸銅水溶液膜に紫外レーザー照射した結果、数ショットからPTFE表面には親水基、ならびに銅化合物の出現もXPS分析から認められたが、金属銅は観察されなかった。(2)プラズマ発生領域と外界を隔離する遮蔽板を設け、整流フィルターと供給ガス流量を適正化する事で、試料表面全体に均一に親水化を施す事ができた。(3)試作したインピーダンス整合器～電極ヘッド間の電気回路を検証した結果、VDC=0Vならびに反射電力0Wと効率的なプラズマ発生が可能である事が分かった。(4)有機溶媒を混合した反応ガスを供給して、PTFE表面に大気圧プラズマ処理による親水化を施した結果、PTFE表面に親水基が顕著に認められた。(5)前項の処理後、熱CVD法によるアミノシランカップリング剤(AEAPS)の自己組織化単分子膜(SAM)を形成させた結果、SAMの終端官能基のアミノ基がPdイオンを化学吸着する事がXPS分析から明らかになった。(6)前項のSAM表面にセンシタイジング・アクチベーター溶液処理ならびに無電解銅メッキ溶液処理を施した結果では、銅薄膜の形成は得られなかった。しかし、還元剤であるDMAB溶液の浸漬処理をアクチベーター溶液処理と無電解銅メッキ溶液処理との間に施したところ、銅薄膜を形成できる事が分かった。次年度は、銅めっき薄膜の密着強度を向上させるべく表面改質の処理条件を精査するとともに、紫外レーザー照射によるSAM表面の回路パターニングの作製を検討する。
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