研究課題
基盤研究(C)
ナノシェルカーボン(NS)およびカーボンブラック(XC)に対する、窒素ドープが、担持Ni触媒のメタン乾式改質(CH_4+CO_2=CO+H_2)の反応性に及ぼす影響を調べた。水素生成活性の序列は、N-XC>N-NS>XC>NSあった。しかしながら、AO処理XCは、同時に高いCO_2ガス化活性を示す。これより、AO処理NS上に担持されたNiが、最も良好な触媒であると結論された。
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