| 研究概要 |
これまでの研究から、細胞膜におけるホスファチジルエタノールアミン(PE)およびホスファチジルセリン(PS)の外層-内層間の移行が極性形成の制御と関わっていることを見いだしている。また、ABCトランスポーターに属するPdr5、Yor1、Snq2がPEの外層への移行(フロップ)に、Sog2を含むRAMネットワークと呼ばれる因子群がPEとPS両者のフロップに関与することを見いだしている。本年度は、PSの移行について重点的に解析を行った。細胞膜のPE,PSの内層への移行(フリップ)を触媒するフリッペースの調節サブユニットの変異株(lem3Δ)は、PSに特異的に結合する薬剤Papuamide B(Pap B)に感受性になる。このことを利用して、PSの移行に関与する因子の探索を行った。1.lem3Δ株のPapB感受性を緩和する新たな変異、2.lem3Δ株のPapB感受性を過剰発現で緩和する遺伝子、3.lem3Δ株のPapB感受性を過剰発現でさらに悪化させる遺伝子、の探索を行った。1の探索では、RAMネットワークの因子の変異が単離され、RAMネットワークがPSの移行に関与することが再度確認された。2および3の探索ではそれぞれ、これまでにほとんど解析されていない膜タンパク質をコードする遺伝子が同定された。これらの因子はいずれも細胞膜に局在していることがわかっており、細胞膜におけるPSの層間移行に関与していることが強く示唆される。今後これらの因子の機能を詳細に解析する。
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