| 研究課題/領域番号 |
20612024
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
量子ビーム
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| 研究機関 | (財)高輝度光科学研究センター |
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研究代表者 |
冨澤 宏光 (財)高輝度光科学研究センター, 加速器部門, 副主幹研究員 (40344395)
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| 研究分担者 |
出羽 英紀 財団法人 高輝度光科学研究センター, 加速器部門, 副主幹研究員 (20360836)
谷内 努 財団法人 高輝度光科学研究センター, 加速器部門, 副主幹研究員 (60360822)
水野 明彦 財団法人 高輝度光科学研究センター, 加速器部門, 副主幹研究員 (30360829)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| キーワード | 軸対称偏光・ラジアル・アジマス偏光 / フェムト秒レーザー / ショットキー効果 / フォトカソード / Z偏光電子源 / RF電子銃 / X線自由電子レーザー(XFEL) / 次世代放射光加速器 |
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| 研究概要 |
フォトカソード表面で、Z偏光というレーザ伝搬方向に平行な電界を集光点で作り出し、光電子放出の量子効率(QE)のZ偏極電場強度依存性の確認を目的として行った。波長264nm(パルス幅:100fs)のZ偏光ベッセルビームを銅カソードに照射し、表面で1.6GV/mの電界を達成した。ラジアル偏光素子に入射するレーザの偏光面を半波長板で連続回転し、ラジアル偏光からアジマス偏光へと連続的に変化させるZ偏光強度の変調装置を開発した。ラジアル偏光の集光時(Z偏極電場が最大)に、光電子放出の電荷量増大(最大で40%)を観測した。表面(鏡像)ポテンシャルをもつ金属カソードでのZ偏光レーザ照射による放出電荷量増大の確認により、レーザ電場によるショットキー効果が起こりうることを実証した。変調させたZ偏極電場強度の変化に同調して増減するQEを観測し、この現象の再現性も確認した。
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