研究課題
基盤研究(C)
Si基板上の3C-SiCエピタキシャル薄膜上に、スパッタ法にて鉄シリサイド(ss-FeSi_2)薄膜のエピタキシャル成長を実現した。(100)面及び(111)面いずれの3C-SiC上においても(100)配向したss-FeSi_2薄膜がエピタキシャル成長することが確認され、(100)3C-SiC上には2回対象を有するss-FeSi_2薄膜が、(111)3C-SiC上には3回対象を有するss-FeSi_2薄膜がそれぞれエピタキシャル成長した。半絶縁性4H-SiC基板上に成長したエピタキシャルss-FeSi_2薄膜の電気伝導特性評価より、正孔が伝導キャリアとなるp型であり、室温でのキャリア濃度は1.5×1018 cm^3であった。さらに、室温及び30Kでのキャリア移動度はそれぞれ12及び 140 cm^2/Vsであり既報の溶媒法にて作製された単結晶データを上回る高い結晶性が確認された。
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