| 研究概要 |
らせん構造の左右性の磁場制御について,鋳型分子含有メソポーラスシリカを用いて試みた。また,ヘリックス構造を振動分光とX線回折とによって検出する方法を検討した。ヘリカルシリカを静磁場中で調製したところ,6T以下では左巻きと右巻きのシリカハイブリッドの量に有為な差はみられなかったが,強磁場では有為に右巻きらせんが増加した。また,磁場印加によって,長く,細く成長した。おそらく,速度論的な効果と考えられるので,長時間成長実験が必要である。膜面に垂直磁場配向したラセミ体の膜内フラストレーションによる左右性制御を検証するための準備として,テトラエトキシシラン/界面活性剤(SDS)/添加物水溶液から沈殿するヘリカルハイブリッド表面を観測し,どのようにヘリックスが成長するかを,超伝導マグネット中でマイクロスコープ/ビデオカメラシステムによって観測した。系が小さいため観測できなかったのでその場測定は断念し,取り出して透過電子顕微鏡観察によって成長過程を追跡した。その結果,膜から分離してロッドが成長したあと,捩れが発生することがわかった。膜面に垂直に磁場を印加すると,ロッドは垂直配向したが,ロッドの融合は観測されなかったので,現在のところ,螺旋の左右性を薄膜を利用して磁場制御するという初期の目的は達していない。
磁石用電気炉を製作したので,炭素コイルやナノチューブを磁場中合成する準備はほぼ整った。ヘリックス内の構造を振動分光とX線回折とによって調べる。
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