大気圧プラズマによるプラスチックフィルム上薄膜デバイスの高能率作製技術の開発

2010 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 20676003
• 研究種目: 若手研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 生産工学・加工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 垣内 弘章 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (10233660)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2012
• キーワード: 大気圧プラズマ / 低温・高速成膜 / 電子・電気材料 / 薄膜トランジスタ

研究概要

近年,大気圧プラズマは,減圧プラズマに代わるプラズマ源として注目され,その成膜プロセスへの応用に関する活発な研究が行われている。本研究は,大気圧プラズマを用いた成膜で一般に問題となる基板のダスト汚染を克服することによってSi およびその化合物の低温高速高品質成膜プロセスを確立し,プラスチックフィルム上へのTFT 等の高性能薄膜デバイスの実証を目指す。

研究成果

• [雑誌論文] Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (>50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Nakamura, Y.Yamaguchi, K.Yasutake
  • 雑誌名: Plasma Chem.Plasma Process. 30 ページ: 579-590
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kakiuchi, H.Ohmi, Y.Yamaguchi, K.Nakamura, K.Yasutake
  • 雑誌名: Thin Solid Films 519 ページ: 258-262
  • 査読あり
• [雑誌論文] Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220℃) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Ouchi, K.Tabuchi, K.Yasutake
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 106 ページ: 013521 1-6
  • 査読あり
• [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Yasutake
  • 学会等名: 32^<nd> International Symposium on Dry Process
  • 発表場所: 東京工業大学(招待講演)
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Room-Temperature Deposition of Silicon Nitride Films with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Yasutake
  • 学会等名: 63^<rd> Gaseous Electronics Conference & 7^<th> International Conference on Reactive Plasmas
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 2010-10-05
• [図書] 新コーティングのすべて(フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術) (2009)
  • 著者名/発表者名: 垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
  • 総ページ数: 639(294-298)
  • 出版者: (株)加工技術研究会
• [産業財産権] 成膜装置 (2010)
  • 発明者名: 柴田哲司, 平井孝彦, 垣内弘章, 安武潔
  • 権利者名: パナソニック電工(株)
  • 産業財産権番号: 特許権,特願2010-070769
  • 出願年月日: 2010-03-25