研究概要 |
Co_2MnSi組成ベースのハーフメタルホイスラー合金電極と酸化マグネシウムを用いたトンネル接合素子において,低温において1275%,室温において350%の磁気抵抗比を得ることに成功した.この磁気抵抗比はハーフメタル電極を用いたトンネル接合で世界最高であり,論理回路に応用可能なスイッチ素子が作製できた.開発した素子を微細加工によって直列接続した回路において,電圧を印加することで磁気抵抗比を大きく変化させることに成功した.このことによって,開発した素子が論理回路に応用できる可能性を示した.
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