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2009 年度 実績報告書

プラズマプロセスの制御によるアモルファス炭素膜の揺らぎのない成膜プロセスの創成

研究課題

研究課題/領域番号 20684027
研究機関長崎大学

研究代表者

篠原 正典  長崎大学, 生産科学研究科, 助教 (80346931)

キーワード反応性プラズマ / アモルファス炭素膜 / プラズマプロセス / 多重内部反射赤外分光 / 成長過程 / アセチレン / 付加反応
研究概要

アモルファス炭素膜は、炭素を主な要素として構成されるアモルファス状の炭素膜であり、すでに広く産業界で用いられている。しかしながら、膜中のわずかな組成や結合状態の変化により膜質は大きくかわってくる。所望の膜質を得るために、膜中の組成や結合状態を揺るぎなく制御しなければならない。そのためには、膜がどのように形成されていくのかという成膜メカニズムを理解して、成長を行うことが必要である。さらにプラズマプロセスは時々刻々変化するので、アモルファス炭素膜の成膜に伴って、プラズマ自体も変化させなければならない可能性もある。様々な要素に対して、科学的見地に基づき、膜の堆積プロセスを制御する方法を確立することが必要である。しかしながら、プラズマ中のプロセスを観察するというのは非常に難しくプラズマプロセスを観察した上で制御するという研究は進んでいない。そこで、申請者はプラズマ中でも「その場」「実時間」観測が可能な多重内部反射赤外分光法を立ち上げ、成膜メカニズムの理解に焦点を当て研究を進めている。
昨年度に引き続き、広く産業界でも使われているメタンを原料としてプラズマCVD法を用いて膜を成長させるプロセスを調べた。さらに、本年度は、成長速度の増大などの利点を持つアセチレンを原料として用いたプラズマCVD成長過程についても調べ詳細に解析を行った。その結果、アセチレンを原料としたプラズマCVDでは、原料から解離した化学種が表面に吸着した後、その吸着した化学種にさらに「付加反応」によりプラズマで生成された化学種が吸着することをが、明らかにできた。メタンを原料とした際には膜の堆積には膜表面の水素の引き抜きが化学種の吸着には必要であると考えられているのに対して、この反応には、表面水素の引き抜きが必要なく、プラズマから供給される化学種が吸着でき、アセチレンを原料とした場合堆積速度が増大することが明らかにできた。さらに、基板バイアスを印加すると、プラズマ中のラジカル成分に加えイオン成分も引き込まれ、この付加反応で形成されるポリマー状の成分をエッチングされ、さらに膜中のC-C結合が増加することより、炭素の結合の密度が増大することが分った。これらの結果は、プラズマCVDプロセスに科学的に捉えたものであり、その意義はたいへん大きい。

  • 研究成果

    (12件)

すべて 2010 2009

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (8件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Difference of deposition process of an amorphous carbon film due to source gases2010

    • 著者名/発表者名
      Masanori Shinohara, 他
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

      ページ: 3497-3501

    • 査読あり
  • [雑誌論文] アモルファス炭素膜のプラズマ気相化学堆積過程の観察2010

    • 著者名/発表者名
      篠原正典
    • 雑誌名

      表面科学 31

      ページ: 156-161

  • [雑誌論文] Substrate temperature effects on amorphous carbon film growth, investigated by infrared spectroscopy in multiple internal reflection geometry2009

    • 著者名/発表者名
      Masanori Shinohara, 他
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technologies A 27

      ページ: 613-817

    • 査読あり
  • [学会発表] Substrate Bias Effects on Amorphous Carbon Film Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      Masanori Shinohara, 他
    • 学会等名
      19^<th> Academic Symposium of MRS-Japan 2009
    • 発表場所
      横浜市 開港記念会館
    • 年月日
      2010-12-08
  • [学会発表] Investigation of Deposition Process of Amorphous carbon film using acetylene plasma2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kawazoe, T.Kawakami, T.Inayoshi, M.Shinohara, 他
    • 学会等名
      19^<th> Academic Symposium of MRS-Japan 2009
    • 発表場所
      横浜市 横浜情報文化センター
    • 年月日
      2010-12-08
  • [学会発表] Interaction of hydrogen plasma with amorphous carbon films deposited using acetylene plasma2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kawazoe, T.Kawakami, T.Inayoshi, M.Shinohara, 他
    • 学会等名
      19^<th> Academic Symposium of MRS-Japan 2009
    • 発表場所
      横浜市 横浜情報文化センター
    • 年月日
      2010-12-08
  • [学会発表] Interactions between Hydrogen Plasma and Amorphous Carbon Films2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kawazoe, T.Inayoshi, T.Kawakami, K.Hara, M.Shinohara, 他
    • 学会等名
      The 27^<th> Symposium on Plasma Processing
    • 発表場所
      横浜市 横浜開港記念会館
    • 年月日
      2010-02-01
  • [学会発表] アセチレンを原料として用いたプラズマCVD法によるアモルファス炭素膜の成膜反応2009

    • 著者名/発表者名
      篠原正典, 他
    • 学会等名
      表面科学会講演大会
    • 発表場所
      タワーホール船越
    • 年月日
      2009-10-29
  • [学会発表] 酸素分子・酸素プラズマによるアモルファス炭素膜の酸化反応2009

    • 著者名/発表者名
      篠原正典, 他
    • 学会等名
      表面科学会講演大会
    • 発表場所
      タワーホール船越
    • 年月日
      2009-10-28
  • [学会発表] Dependences of growth process of amorphous carbon films on the different source gases : methane and acetylene2009

    • 著者名/発表者名
      Masanori Shinohara, 他
    • 学会等名
      International Symposium on Plasma Chemistry 19
    • 発表場所
      ドイツ・ボーフム
    • 年月日
      2009-07-27
  • [学会発表] Difference of deposition process of an amorphous carbon film due to source gases2009

    • 著者名/発表者名
      Masanori Shinohara, 他
    • 学会等名
      22nd Symposium on Plasma Science for Materials
    • 発表場所
      東京大学
    • 年月日
      2009-06-16
  • [産業財産権] 親水性炭素質膜の製造方法及び製造装置2009

    • 発明者名
      篠原正典, 他
    • 権利者名
      篠原正典, 他
    • 産業財産権番号
      特願2009-115707
    • 出願年月日
      2009-05-12

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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