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高性能RE系超伝導線材の実現のため、磁束ピン止め材料の高速探索手法の確立と安価な薄膜作製プロセスに関する検討を行った。RE系超伝導薄膜の作製にはエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着(PLD)法が主流だが、設備・ランニングコストが安価で有毒ガスを用いないために環境負荷が小さいNd:YAGレーザーを用いたPLD法でも同等なRE系超伝導薄膜が得られることを明らかにした。また、コンビナトリアルケミストリーの概念を応用したコンビナトリアルPLD法が磁束ピン止め材料の高速探索に有効であることを示し、新規磁束ピン止め材料の探索を行った。
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