研究課題
若手研究(B)
量子力学の第一原理に基づく電子輸送特性計算手法と、この計算手法に基づく計算コードを開発した。この計算コードを駆使して、シリコン系トランジスタの基本構成要素として広く使われている酸化シリコン/シリコン界面における界面欠陥とリーク電流の相関を調べた。特に、欠陥構造の違いによるリーク電流量の差異や界面欠陥構造とリーク電流経路の相関、水素シンターなど界面欠陥処理方法のリーク電流抑制に対する効果を評価し、絶縁特性の劣化に深刻な影響を与える界面欠陥構造を特定した。
すべて 2011 2010 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (11件) (うち査読あり 11件) 学会発表 (25件)
Appl. Phys. Exp. 4(2)
ページ: 021303
Jpn.J.Appl. Phys. 50(2)
ページ: 021503
J.Phys. : Condens. Matter 21(6)064240
ページ: 1-5
J.Phys.Chem. C 113(15)
ページ: 6256-6260
Phys.Rev. B 79(19)195326
Appl. Phys. Lett. 95(1)011908
ページ: 1-3
J.Comput.Theor.Nanosci. 6(12)
ページ: 2624-2628
J.Comput.Theor.Nanosci. 6(8)
ページ: 1789-1807
ページ: 2521-2544
Phys. Rev. B 78(3)035426
ページ: 1-4
J.Phys. : Condens. Matter accepted