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第二種超伝導体に誘起された磁束格子の格子方位は、超伝導体を構成する母体原子配列の対称性や超伝導秩序パラメータの異方性、ピン止め特性など微視的な環境によって決まることが知られている。これに対し、駆動力(マグナス力またはローレンツ力)により磁束をフロー状態にすると、磁束に与える微視的環境の影響が有効的に減少する。このため、磁束のフロー状態では、格子方位に関する回転の自由度が磁束格子に回復し、特異な格子方位を持つ磁束格子のフロー状態が現れる可能性がある。最近我々は、モードロック共鳴法を応用した新しい実験手法を開発し、アモルファスMoGe超伝導膜において磁束格子フローの格子方位を捉えることに成功した。磁束ダイナミクスの研究の方途を拓く意義深い発見である。前年度に見出した結果の再現性を調べるため、本年度はNbとGeを混ぜたアモルファス超伝導膜を用意し、試料のサイズや形状を変えながらモードロック共鳴実験を行った。その結果、アモルファスMoGe超伝導膜の結果と同様に、磁束格子の格子方位が運動方向に揃う平行な格子フロー状態だけでなく、格子方位が垂直となる格子フロー状態を見出した。さらに、垂直な格子フロー状態は、広い温度・磁場範囲に亘って現れ、試料の形状やサイズといった外的要因によって決まらない、フロー状態に特有な格子運動状態であることを見出した。これらの実験結果から、常に平行な格子フロー状態が現れるとする磁束運動のエネルギー散逸最小条件の議論を覆した。
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