研究課題
若手研究(B)
ワイドバンドギャップ半導体SiCの結晶中の積層構造の様式が異なる構造多形(ポリタイプ)に着目し、3C型(3C-SiC)と6H型(6H-SiC)それぞれに対してB及びAlをドープすることによって、超伝導が発現することを発見した。この発見により、p電子系バンドギャップ半導体に発現する超伝導の超伝導特性(第1種超伝導若しくは第2種超伝導)が、アクセプター準位の位置によって定性的に理解できることを示した。
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