2009 年度研究成果報告書

シクロメタル化した白金錯体の電気化学的酸化による高活性反応場の構築

研究課題

研究課題/領域番号	20750045
研究種目	若手研究(B)
配分区分	補助金
研究分野	無機化学
研究機関	東京工業大学
研究代表者	小泉武昭東京工業大学, 資源化学研究所, 准教授 (60322674)
研究期間 (年度)	2008 – 2009
キーワード	白金錯体 / ルテニウム錯体 / 有機金属錯体 / 電気化学 / 多段階酸化還元 / シクロメタル化配位子 / 結晶構造 / ノン-イノセント配位子
研究概要	多段階の酸化還元能を有する配位子である1,2-ベンゼンジアミド(bda)誘導体を持つPt(II)錯体を電気化学的な二電子酸化によりd^6錯体へと変換し、錯体の構造変化を促すことにより高活性反応場の構築を目指した。シクロメタル化配位子を支持配位子として用いることにより、bda配位子の酸化電位が大きく低下した。更なる酸化によりPt(II)からPt(IV)へと構造変化したと考えられる挙動が電気化学的に観測され、高活性反応場が生成できたものと考えられる結果が得られた。