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本研究の目的は、表面に両成分ともに析出するジブロック共重合体膜を調製し、その膜表面と平行方向に電場を印加することで、面内にランダム配向したミクロドメインが電場方向に再配向する過程を明らかにすることにある。今年度は、ポリ(4-tert-ブチルスチレン)(B)とポリ(4-tert-ブトキシスチレン)(0)の共重合体をリビングアニオン重合法により合成し、その表面構造について原子間力顕微鏡観察およびX線光電子分光測定に基づき検討を行った。その結果、Bおよび0成分ともに表面に析出しており、表面近傍ではラメラ構造が膜面に対して垂直方向には移行していることを明らかにした。さらに、この膜の表面を加水分解すると、0成分がポリ(4-ヒドロキシスチレン)に変換されることを確認した。また、原子間力顕微鏡観察において、温度と電場を同時に印加できるようにするためのフランジを作製した。
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