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本研究の目的は、スルホン酸基、カルボニル基、アンモニウム基、アミノ基等の官能基が提示された界面における各種の機能性無機化合物の溶液電解法による結晶核生成・成長挙動をあきらかとし、これを機能性無機化合物のための配向制御膜として利用できるようにすることである。これにより、接着性がよく、結晶配向の揃った無機化合物膜を、ヘテロエピタキシャル成長等の煩雑な方法によらずにソフト溶液プロセスによって形成することが可能となる。このような無機化合物の、ソフト溶液プロセスにおける基板界面上での結晶核生成挙動および接着に関する知見は、化合物系の太陽電池・発光素子等の積層デバイスを、安全・安価なソフト溶液プロセスで効率よく形成することに応用できると考えられ、最終年度では太陽電池への応用を試みる。
平成20年度は、表面処理技術を用いて種々の官能基で修飾された電極基板に対する、様々な化合物の電折を行い、それら化合物が電極表面の官能基とどのような相互作用を持ち、どのような様式で析出するのかを調査した。修飾する官能基としては、スルホン酸基、カルボニル基を用い、修飾の方法としては高分子電解質の交互積層法を用いた。また、電解析出させる化合物としては、容易に水溶液から析出可能な酸化物である、酸化亜鉛を用いた。基板としては、後の太陽電池への応用も考慮してITOを用いた。電極の修飾による、酸化亜鉛の析出様態の変化が確認され、本研究の目的とするより高度な配向制御の可能性が示唆された。
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