研究課題
若手研究(B)
今日の半導体エレクトロニクスを支えるシリコンテクノロジーに、電子の持つスピン自由度を導入するために、半導体横型スピン伝導素子を作製するための基礎となる要素技術を検討した。その結果、Si/SiGe二次元電子系からなる量子ホール素子において、バルク伝導チャネルにおける特異なスピン依存散乱現象を発見した。また、量子ドットへのスピン注入を念頭に、外部強磁性電極を接合したInAs量子ドットのスピン伝導現象を調査した。量子ドット中のスピン状態と強磁性電極のスピン状態の競合から、スピンブロッケイドと思われる現象を観測する事に成功した。今後、新しい機能を有するエレクトロニクス素子の開発へとつながる物理現象の発見である。
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すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (4件)
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