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本研究では、MOVPE法によるInNのP型伝導制御を目標として、InN結晶中に多数存在する貫通転位の低減を目下の課題として、低転位化技術の確立を目的に研究を遂行した。H20年度の研究において、InN成長初期に3次元ピラミッド成長から2次元横方向成長に移行することで転位低減効果を確認した。さらなる低転位化のため、H21年度はGaAs(111)B基板上に形成したSiO2マスクパターン上へのInN選択成長を試み、600oC以上に成長温度を増加することでSiO2上には成長せず、マスクの開口部にのみ(101￣1)ファセットに囲まれたピラミッド状のInN結晶を選択的に成長できることを見出した。
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