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加工Si基板上へGaNを選択成長し半極性GaNを作製した。(11-22)GaNを成長する場合、2段階成長を用いることで、転位密度を10^5/cm^2以下にすることに成功しほぼ無転位に近い高品質な半極性GaNを得ることに成功した。また、(1-101)GaNにおいては、転位が成長初期に曲がるため、上部に転位が伝搬しにくく、同様に転位密度を10^5/cm^2以下を達成することが可能であった。この結晶を用いて(1-101)GaNストライプ上にInGaN/GaN MQWを用いた導波路を作製し、光励起による光学特性を測定したところ、端面より誘導放出光を得ることに成功した。これはSi基板上では世界初となる結果であり、高品質結晶が得られたことを証明していると考えている。
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