窒化ガリウム系希薄磁性半導体の磁性制御

2010 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 20760013
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 京都工芸繊維大学
• 研究代表者: 園田 早紀 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (30397690)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2011
• キーワード: スピンエレクトロニクス / MBE・エピタキシャル / 磁性 / 半導体物性 / 電子・電気材料

研究概要

Mn添加GaNは、室温で強磁性を示す新機能を持った半導体で、室温動作スピンエレクトロニクスデバイス材料として期待されており、Mnの価数制御によりその磁気特性をコントロールできることが本申請者によって初めて実験的に確認されたものである。本申請研究は、磁気特性の制御法の確立を目指し、Mnを含む3d遷移金属元素の価数混成状態を安定に発現させる共添加元素を見いだし、磁気特性を制御することを目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] Role of Hydrogen on Room Temperature Ferromagnetism of GaMnN Films (2008)
  • 著者名/発表者名: S, Sonoda
  • 雑誌名: J.Phys., Condens.Matter 20 ページ: 475201-475204
  • 査読あり
• [学会発表] 3d遷移金属添加窒化物半導体の光吸収特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 園田早紀
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 3d遷移金属添加窒化物半導体のイオン化ポテンシャル (2010)
  • 著者名/発表者名: 園田早紀
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Mn添加GaNのバンド構造と常磁性-強磁性可逆転移 (2009)
  • 著者名/発表者名: 園田早紀
  • 学会等名: 第39回結晶成長国内会議招待講演
  • 発表場所: 名古屋大学
  • 年月日: 2009-11-13
• [学会発表] Mn添加GaN薄膜の交流電気伝導特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 園田早紀、藤本佳久、濱中力、村野友昭、吉本昌弘、竹内徹也
  • 学会等名: 日本金属学会2009年春期(第144回)大会
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2009-03-29